本次展会带来多款重磅新品，凭借顶尖技术实力吸引大量观众与客户驻足观摩。其全新发布的12英寸NMC612H ICP刻蚀设备，将刻蚀精度推向埃米级，实现小尺寸开口下数百比一的高深宽比刻蚀能力；Qomola HPD30混合键合设备实现纳米级对准精度，全面覆盖HBM、Chiplet、3D DRAM等存储3D集成场景；同时展出的还有Ausip T830 TSV电镀设备、90:1高深宽比深孔刻蚀设备及新一代高能离子注入机等产品，匹配

　　当前芯片产业正从制程微缩转向原子级封装新时代，长电科技（600584.SH）CEO郑力在展会论坛发表主旨演讲时提出，以原子级工艺革新重构芯片制造逻辑，为AI算力革命筑牢底层支撑。郑力指出，传统晶圆制造已逼近1nm物理极限，成本与量子隧穿效应构成显著瓶颈，原子级封装正成为后摩尔时代的核心突破路径。依托ALD原子层沉积、混合键合等四大核心技术，实现封装精度跨量级提升：对准精度从±5μm推进至10nm，互联密度突破6万触点/mm，界面间隙达到原子级无间隙，完成三个数量级的技术跨越。